| Titel im Fokus | WKN |
|---|---|
| Intel | 855681 |
Anlagethema Hochleistungschips: Intel
In unserer Kaufliste der Berichtswoche sind Aktien des Chipherstellers Intel verzeichnet. Intel legt zwar erst am 23.4. die jüngsten Quartalszahlen vor. Aber die Aktie preist schon seit geraumer Zeit hohe Erwartungen ein: „Der Chiphersteller Intel hat an der Börse eine spektakuläre Wiedergeburt erlebt. … Mit einem Kursplus von rund 262 Prozent innerhalb eines Jahres an der NASDAQ hat sich das Papier von seinen Tiefstständen im Bereich von 18 US-Dollar gelöst und markierte am Donnerstag bei 68,50 US-Dollar einen neuen Höchststand jenseits der 65-Dollar-Marke.
… Der wichtigste Treiber für den massiven Kursanstieg war der erfolgreiche Start der Hochvolumenfertigung im 18A-Prozessknoten. Dieser technologische Meilenstein markiert den Moment, in dem Intel offiziell den Anschluss an die Weltspitze der Halbleiterfertigung zurückerobert hat. Mit der Kombination aus RibbonFET-Transistoren und der PowerVia-Rückseitenstromversorgung konnte Intel die langjährigen Effizienz– und Dichtelücken zu Wettbewerbern wie TSMC schließen.“ („Der Silicon Valley-Phönix: Ist die Intel-Aktie nach der Rekordrally noch ein Kauf?“; Finanzen.net, 17.04.2026).
Das Fachchinesisch im Zitat versteht wohl kaum ein Mensch, so dass wir im Folgenden eine Übersetzung ins Alltagsdeutsche anbieten.
Kauft man einen „klassischen“ Transistor in einem Elektronikladen, dann hat man unzweifelhaft ein ausgeprägt dreidimensionales Bauelement mit drei dünnen Draht-Beinchen in der Hand. Man sollte ab und zu über so einen Transistor ein wenig sinnieren – denkend sicher, aber schon auch dankend. Denn der Transistor ist der zentrale Baustein unseres binären Daseins, der Mittelpunkt unserer technischen Welt, der Fürst des Digitalzeitalters. Wobei zwei Dinge wichtig sind: Erstens: Seine Funktion als Schalter (die andere ist die als Verstärker). Zweitens: Seine Größe: je kleiner, umso bevölkerungsreicher sind die Transistor-Metropolen, umso mehr neigen sie dazu, die wahren Hauptstädte unseres Lebens zu sein.
Im Prozess der Miniaturisierung wurden Transistoren kommerziell seit den 1970er Jahren – vor allem von Intel – im Rahmen Integrierter Schaltungen vergesellschaftet & urbanisiert. Die Techniken dazu wurden im Prinzip bereits bis Ende der 50er Jahre entwickelt. Hierfür „druckt“ man bildlich gesprochen Transistoren in das Trägermaterial. Das zentrale Verfahren ist die Fotolithographie. Damit einher ging die Reduktion der dritten Dimension: Transistoren wurden immer flächiger. Analog zu Erdvorstellungen könnte man sagen: zuvor war der Transistor eine Kugel, dann wurde er zu einer Scheibe. Diese Scheibe entspricht dünnen Schichten des Wafers. Merkmal des klassischen Wafers ist überdies, dass er nur einseitig „bedruckt“ wird. Auf dieser Basis gelang es, die Transistoren über die Oberseite immer dichter zu packen. Das ging Jahrzehnte immer so weiter.
Irgendwann geriet jedoch die Miniaturisierung auf Flächenbasis an funktionale Grenzen. Der Transistor bekam u.a. Probleme mit sogenannten Leckströmen.
Eine Lösung fand Intel 2011 mit dem FinFET: Aus der Scheibe wurde wieder eine Kugel: Man wich wieder mehr in die dritte Dimension aus, um die Funktionalität des Transistors bei weiterer Miniaturisierung zu erhalten. Das erfolgte aber nicht in Gestalt der oben erwähnten drei dünnen Beinchen unter dem Halbleiterbauteil aus dem Elektronikladen. Vielmehr ragt beim FinFET nur ein Teil des Feldeffekt-Transistors (FET) als Flosse (Fin) aus der Flächenebene des Trägers heraus. Weiterhin blieb aber der Wafer einseitig bedruckt. Jedoch war auch diese Lösung verbesserungsfähig, zumal fortgesetzte Miniaturisierung stets Probleme verschärft oder neue schafft. Daraufhin hat Intel einen weiteren Entwicklungsschritt vollzogen, der in die sogenannte 18A-Technologie mündete.
Dabei wurden zwei wesentliche Änderungen vorgenommen: Erstens wird nun die dreidimensionale Strukturierung für die Transistor-Funktionalität noch geschickter genutzt: Man stapelt dabei „Nanobänder“ übereinander und spricht deshalb von RibbonFETs. Zweitens wird auch die andere, bisher „unbedruckte“ Seite des Halbleiter-Trägers genutzt: Während auf der Seite des RibbonFETs die „Leitungen“ für den logischen „Schwachstrom“ verlegt sind, sind nun an der Rückseite des Wafers die „Starkstrom-Leitungen“ für die „vorlogischen“ Stromzuleitungen, man könnten auch Energie-Versorgung sagen, angebracht. Beide Leitungsarten wurden zuvor an ein und derselben Seite – der Oberseite – „verlegt“. Aber dieses Kuddelmuddel brachte für den Verkleinerungsehrgeiz Probleme verschiedener Art mit sich. Mit der Trennung von Starkstrom für die Energie auf der Unterseite und Schwachstrom für die Information an der Oberseite realisierte man eine Separierung, die im Fachhandwerk für Elektroinstallation schon lange Standard ist.
Wir können also festhalten: Die starke Nachfrage nach der Intel-Aktie im letzten Jahr ist wesentlich darauf zurückzuführen, dass erstens aus dem Transistor als „Scheibe“ eine optimierte „Kugel“ (Ribbon-Struktur) wurde und dass zweitens nach altem Handwerkerbrauch Schwach– und Starkstrom nun strikt getrennt verlegt werden, indem der Wafer beidseitig genutzt wird und zugleich massiv funktional durchgestylt ist. Als Lohn für die praktische Umsetzung dieser aufgrund unserer simplen Metaphorik ziemlich einfach erscheinenden Grundideen gab es die schöne Kursrally der Intel-Aktie in jüngster Zeit.
Die Frage ist, ob damit alles bereits eingepreist ist oder ob die Technologie vielleicht sogar überschätzt wird? Denn sie ist keine Revolution. Das wäre vielleicht anders, wenn wir es mit Memristoren, In-Memory-Computing-Chips, Photonische Prozessoren oder neuromorpher Hardware zu tun hätten, vorausgesetzt, sie hätten den Transistor bereits von seinem Königsthron gestürzt und ihm nur noch einen Sitz im Oberhaus zugestanden. Aber darüber vielleicht ein anderes Mal, denn auch für diese revolutionären Technologien gibt es bereits Fonds.